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焦點(diǎn)報(bào)道:不黑不吹,美國芯片禁令,對(duì)國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片,影響很大

2023-06-29 18:38:29    來源:維科號(hào)

眾所周知,今年以來,中美科技戰(zhàn)爭(zhēng)依然在針峰相對(duì),并且中國開始進(jìn)行反擊,美光事件就是最好的例子。

而美國針對(duì)中國半導(dǎo)體,也有著明確的目標(biāo):


(資料圖)

(1)采用16nm或14nm及以下非平面FinFET或GAAFET晶體管結(jié)構(gòu)的邏輯芯片;

(2)半間距小于等于18nm的DRAM存儲(chǔ)芯片;

(3) 128層及以上的NAND閃存芯片。

不過,很多網(wǎng)友表示,目前中國存儲(chǔ)芯片,其實(shí)是不怕美國的禁令的,因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)生產(chǎn)出了232層的3DNAND閃存,這個(gè)限制128層以上閃存芯片,不是來搞笑的么。

但其實(shí)還真不是的,因?yàn)檫@些禁令,長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在開發(fā)新產(chǎn)品或擴(kuò)展新的HVM晶圓廠方面面臨挑戰(zhàn)。

目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)有232L Xtacking3.0 TLC芯片,比特密度為15.0 Gb/mm2,這也是迄今為止最高的比特密度。

但是,目前232層閃存,產(chǎn)能并不大,如果想搶占更多的市場(chǎng)份額,還需要擴(kuò)產(chǎn),而擴(kuò)產(chǎn)的話,設(shè)備就會(huì)被卡,所以擴(kuò)產(chǎn)比較困難,市場(chǎng)份額就難以提升。

其次,長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要繼續(xù)開發(fā)n+1和n+2代(>300L)新產(chǎn)品,這些也需要先進(jìn)的設(shè)備,一旦受限,研發(fā)會(huì)受影響。

再看長(zhǎng)鑫存儲(chǔ),生產(chǎn)DRAM閃存,目前推出的是20nm級(jí)(D/R=23.8nm) DDR4和LPDDR4X產(chǎn)品,以及D1x(采用19nm D/R)樣品產(chǎn)品。

接下來,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)會(huì)開發(fā)DDR5和LPDDR5/5X產(chǎn)品,采用的是或會(huì)是17nm工藝,屬于n+1 (D1y)和n+2 (D1z)代,但生產(chǎn)17nm工藝的設(shè)備是受限的,而一旦先進(jìn)設(shè)備受限,這些工藝都會(huì)受到影響。

畢竟不管是先進(jìn)的NAND閃存,還是DRAM內(nèi)存,其產(chǎn)品微縮和提升的必要條件,還是需要先進(jìn)的設(shè)備、軟件、工具等等,如果美國的制裁持續(xù),而國內(nèi)設(shè)備供應(yīng)鏈沒有突破的話,這兩家公司可能將停止進(jìn)一步的研發(fā)活動(dòng)。

所以,我們不應(yīng)該盲目自大,認(rèn)為我們已經(jīng)研發(fā)出了232層的3D NAND閃存,就代表已經(jīng)突破美國的封鎖,就不用擔(dān)心所謂的設(shè)備被卡脖子了,形勢(shì)還是很嚴(yán)峻的。

真正不怕卡脖子,還是需要國產(chǎn)供應(yīng)鏈一起努力,進(jìn)行突破才行,那才是真正的沒有后顧之憂。

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