三星電子:2025年起提供人工智能技術(shù)所需的高性能低電耗GaN功率半導(dǎo)體晶圓代工服務(wù)
【資料圖】
6月28日消息,三星電子當(dāng)?shù)貢r間27日在美國加州硅谷舉辦“2023三星晶圓代工論壇”,發(fā)布瞄準(zhǔn)人工智能時代的最尖端晶圓代工流程路線圖。三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門社長崔時榮表示,客戶公司正在積極開發(fā)人工智能專用芯片,三星電子將通過最優(yōu)化于人工智能芯片的全環(huán)繞柵極(Gate All Around,簡稱GAA)晶體管技術(shù)創(chuàng)新,引領(lǐng)人工智能技術(shù)模式的變化。與此同時,三星還決定從2025年起提供人工智能技術(shù)所需的高性能低電耗氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓代工服務(wù)。為此公司將同相關(guān)企業(yè)構(gòu)建先進(jìn)封裝協(xié)商機制“MDI(Multi Die Integration)同盟”,領(lǐng)導(dǎo)新一代封裝市場。三星電子介紹,將通過這些措施,公司力爭在2027年將半導(dǎo)體生產(chǎn)能力提升至2021年的7.3倍。
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